DB하이텍, 군포 에이프로세미콘과 ‘GaN 전력반도체’ 공동 개발
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DB하이텍, 군포 에이프로세미콘과 ‘GaN 전력반도체’ 공동 개발
  • 고재영 기자
  • 승인 2022.09.22 18:30
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(사진제공:DB하이텍)DB하이텍, 에이프로세미콘과 ‘GaN 전력반도체’ 공동 개발-조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장 부사장(오른쪽)과 임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)
(사진제공:DB하이텍)DB하이텍, 에이프로세미콘과 ‘GaN 전력반도체’ 공동 개발-조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장 부사장(오른쪽)과 임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)

[군포=글로벌뉴스통신]DB하이텍이 에이프로세미콘과 ‘GaN(질화갈륨) 전력반도체’ 개발에 나선다. 이번 협력으로 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 DB하이텍은 팹리스(반도체 설계) 회사인 에이프로세미콘와 시너지 효과를 기대하고 있다.

DB하이텍은 경기도 군포시에 있는 에이프로 본사에서 성공적인 파운드리 공정기술개발을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 22일 밝혔다.

양사는 올해부터 2024년까지 ‘GaN 전력반도체 파운드리 공정기술개발’을 추진하고 에이프로세미콘이 제조하는 8인치 GaN 에피웨이퍼 제품을 적용하는 등 포괄적인 협력관계를 구축할 예정이다.

 


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